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IPD110N12N3 G /
IPD110N12N3 G的规格信息
IPD110N12N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：120V

Id-连续漏极电流：75A

Rds On-漏源导通电阻：11mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：49nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：136W

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：83S,42S

下降时间：8ns

上升时间：16ns

典型关闭延迟时间：24ns

典型接通延迟时间：16ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：11.0mΩ

IDpuls max：300.0A

VDS max：120.0V

ID max：75.0 A

QG (typ @10V)：49.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.1K/W

Operating Temperature min max：-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：0.66

Ptot max：136.0W

Polarity：N

Coss：408.0 pF

Ciss：3240.0pF

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

VGS(th) (typ) min max：3.0 V 2.0 V 4.0 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPD110N12N3 G
IPD110N12N3 G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD110N12N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPD110N12N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
集好芯城IPD110N12N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD110N12N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPD110N12N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPD110N12N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPD110N12N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市全秀电子有限公司IPD110N12N3 G东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479		刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPD110N12N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPD110N12N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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IPD110N12N3 G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IPD110N12N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 83uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO587.99 Kbytes共11页IPD110N12N3 G的PDF下载地址无
IPD110N12N3 G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPD110N12N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥11.84
10+:￥9.5201
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Digi-Key 得捷电子		IPD110N12N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥11.84
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD110N12N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥11.84
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Verical		IPD110N12N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1+:￥11.84
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPD110N12N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 83uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道1+:￥12.22
200+:￥4.73
500+:￥4.57
1000+:￥4.48
IPD110N12N3 G的相关型号
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